記憶體技術平台

動態隨機存取記憶體製程 (DRAM Process)

  • 力晶在記憶體代工領域深耕多年,為目前業界唯一可提供12吋先進記憶體製程的廠商。繼40nm製程量產後,目前更積極協助客戶導入30nm及20nm製程,以滿足客戶產品多樣化的需求。
  • 力晶可提供客戶DRAM設計整合服務,滿足產品更大的系統頻寬需求,並能協助建構Low Power DRAM、Wide I/ O、整合邏輯與記憶體於3D IC,以產生更強大的系統運算效能。

產品



快閃記憶體製程 (Flash Process)

NAND Flash

  • 力晶以12吋製程技術為核心,多年來累積 70 / 50 / 40nm 快閃記憶體(NAND Flash)產品技術成果,現提供50nm與40nm代工製程與產品設計服務。目前20nm製程已進入試產階段。
  • NAND Flash產品應用可分為:
    - MLC(multi-level cell)晶片:是以小型記憶卡、MP3音樂播放器以及USB隨身碟為主要應用,生產技術已推進至先進的40nm製程,在智慧型手機效能要求日益增加趨勢之下,NAND Flash搭配Low-power DRAM已經成為主流的記憶體解決方案。
    - SLC(single-level cell)晶片:瞄準行動應用裝置、網通電子產品及工業應用市場,提供低功率節能及高可靠度的產品。40nm SLC製程可提供之1 bit ECC規格,具備Low Power低電壓性能及高可靠度(reliability)特性。

產品



NOR Flash

  • 力晶12吋晶圓廠機台配置用於生產NOR Flash極具備成本優勢。目前力晶提供客戶120 / 90nm 製程
    NOR Flash代工,65nm製程亦已進入量產階段。